Article2026/09/04免费内容

台积电的CoWoS到底卡在哪里?

CoWoS把GPU与HBM缝合在一起。工艺切换、设备供给、良率爬坡和上下游协同,让先进封装成为比制程更硬的AI芯片产能瓶颈。 聊AI芯片的产能,大家最先想到的是“几纳米制程”。三纳米、两纳米,好像制程才是核心瓶颈。但过去两年真正卡住英伟达出货的,不是制程,而是先进封装。具体来说,是台积电的CoWoS。 今天英…

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聊AI芯片的产能,大家最先想到的是“几纳米制程”。三纳米、两纳米,好像制程才是核心瓶颈。但过去两年真正卡住英伟达出货的,不是制程,而是先进封装。具体来说,是台积电的CoWoS。

今天英伟达一颗Blackwell、AMD一颗MI300,能不能按时交付,几乎完全取决于台积电当月能开出多少片CoWoS。

先解释CoWoS是什么。

它的全称是Chip on Wafer on Substrate,直译“晶圆上芯片再贴基板”。

传统芯片是一颗Die封在基板上,CoWoS是把多颗Die——一颗GPU核心加好几颗HBM——先贴在一片硅中介层(interposer)上,通过硅中介层做高密度短距离互联,再整体贴到基板上。

为什么必须这么做?

因为GPU核心和HBM之间需要的是每秒几个TB的带宽,普通PCB走线根本承受不了这个密度,只有硅中介层里的微米级线路才做得出来。

所以,CoWoS就是把GPU和HBM“缝”在一起的那道工艺。没有它,HBM就贴不到GPU旁边,前一集讲的“内存墙”就绕不过去。

CoWoS的难点在于它有两种主要形态:

CoWoS-S用硅中介层,工艺成熟但中介层尺寸做不大;

CoWoS-L用RDL加局部硅桥,可以做超大封装,支撑英伟达Blackwell这种把两颗计算Die加八颗HBM缝在一起的怪物。

英伟达CEO在2025年初就明确表示,Blackwell正在从CoWoS-S全面切到CoWoS-L。这次切换意味着整条封装线要重建,产能爬坡从零开始。

产能数字比想象中更紧。

台积电CoWoS月产能在2024年底大约是35000片晶圆,2025年底翻到75000片,2026年底目标125000到130000片。

看起来一年翻一倍,但需求增长更快。TrendForce的估算是,即便按这个扩产节奏,2026年底CoWoS的供需缺口才从年初的20%缩窄到10%左右。

也就是说,整个2026年,英伟达能卖多少GPU,不是它自己说了算,而是台积电CoWoS车间说了算。

为什么扩产这么慢?三个原因。

第一,CoWoS用的是特殊的键合、贴装、测试设备,不是普通晶圆厂设备,供应商就那么几家,产能上量本身有节奏。

第二,CoWoS-L比CoWoS-S工艺更复杂,良率爬坡需要时间,新厂建成不等于满产。

第三,CoWoS需要和HBM上下游配合,HBM本身的堆叠良率也在爬,任何一环卡住整条线都动不了。

所以先进封装今天在AI产业链里的位置很清楚:它是比制程更硬、更慢、更集中的瓶颈。

全球能做CoWoS-L量产的目前只有台积电,连三星、Intel Foundry都还在追赶。

这一层看似不起眼,但每个季度台积电电话会里“HPC占比”和“先进封装产能”两个数字,才是判断GPU真实供给最灵敏的温度计。